晶闸管生产厂家为你介绍晶闸管两端为什么并联电阻和电容及阻容元件的选择

      一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
　　我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温顺门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转进通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。由于晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。
　　在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。假如晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不答应的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。
　　为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。由于电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过度过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。
　　由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，假如不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
　　二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择
　　电容的选择:
　　C=(2.5-5)×10的负8次方×If
　　If=0.367Id
　　Id-直流电流值
　　假如整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)
　　可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF
　　选用2.5mF，1kv 的电容器
　　电阻的选择：
　　R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56
　　选择10欧
　　PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2
　　Pfv=2u(1.5-2.0)
　　u=三相电压的有效值